ZXMN10A09KTC

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是Diodes公司的ZXMN10A09KTC的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：100V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5A（Ta）；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：85 毫欧 @ 4.6A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：26nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1313pF @ 50V
功率-最大值：2.15W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252-3

PDF 下载