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HTNFET-T

HTNFET-T

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是霍尼韦尔微电子与精密传感器的HTNFET-T的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：散装；系列：HTMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：55V；


  • 厂商：霍尼韦尔微电子与精密传感器
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：散装
  • 系列：HTMOS™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：55V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：400 毫欧 @ 100mA，5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 100µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：4.3nC @ 5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：290pF @ 28V
  • 功率-最大值：50W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：4-SIP
  • 供应商器件封装：4-电源接片
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