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EPC2012CENGR

EPC2012CENGR

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是EPC公司的EPC2012CENGR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：eGaN®；FET类型：GaNFET N 通道，氮化镓；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：200V；


  • 厂商：EPC公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：eGaN®
  • FET类型：GaNFET N 通道，氮化镓
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：200V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5A（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：100 毫欧 @ 3A，5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1nC @ 5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：100pF @ 100V
  • 功率-最大值：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：模具
  • 供应商器件封装：模具剖面（4 焊条）
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