中电网
中电网首页

产品索引  > 分立半导体产品 > FET - 单  >  EPC2012CENGR

EPC2012CENGR

EPC2012CENGR

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是EPC公司的EPC2012CENGR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：eGaN®；FET类型：GaNFET N 通道，氮化镓；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：200V；


  • 厂商：EPC公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：eGaN®
  • FET类型：GaNFET N 通道，氮化镓
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：200V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5A（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：100 毫欧 @ 3A，5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1nC @ 5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：100pF @ 100V
  • 功率-最大值：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：模具
  • 供应商器件封装：模具剖面（4 焊条）
PDF 下 载
下载

中电网 中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 |   中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网 版权所有      京ICP备19016262号-2      增值电信业务经营许可证粤B2-20050142      京公网安备 11010802037127号

Tel: 010-62985649, 0755-33322333     Fax: 0755-33322099