NMSD200B01-7

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是Diodes公司的NMSD200B01-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：二极管（隔离式）；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200mA（Ta）；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：50pF @ 25V
功率-最大值：200mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

PDF 下载