FDC642P_F085

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是飞兆半导体公司的FDC642P_F085的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：PowerTrench®；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：20V；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：PowerTrench®
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：65 毫欧 @ 4A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：16nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：640pF @ 10V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-SSOT

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