GKI06109

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是三垦的GKI06109的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9A（Ta）；

厂商：三垦
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：8.9 毫欧 @ 23.6A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 650µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：38.6nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2520pF @ 25V
功率-最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN（5x6）

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