FDMS0310AS
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是飞兆半导体公司的FDMS0310AS的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:PowerTrench®,SyncFET™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 单/
- 主要规格参数:
-
- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:PowerTrench®,SyncFET™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):19A(Ta),22A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):4.3 毫欧 @ 19A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):37nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):2280pF @ 15V
- 功率-最大值:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:Power56