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综述介绍

DI9430T

DI9430T

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是达尔捷特科的DI9430T的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.3A（Ta）；

厂商：达尔捷特科
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.3A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：60 毫欧 @ 5.3A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：38nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1430pF @ 10V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SMD，鸥翼型
供应商器件封装：8-SO

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