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FQD5N60CTM_WS

FQD5N60CTM_WS

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是飞兆半导体公司的FQD5N60CTM_WS的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：QFET®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：QFET®
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：600V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.8A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：19nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：670pF @ 25V
  • 功率-最大值：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：DPAK
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