FDZ3N513ZT

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是飞兆半导体公司的FDZ3N513ZT的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.1A（Ta）；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.1A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：462 毫欧 @ 300mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：85pF @ 15V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：4-UFBGA，WLCSP
供应商器件封装：4-WLCSP（1x1）

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