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综述介绍

IPP65R190E6XKSA1

IPP65R190E6XKSA1

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是英飞凌科技公司的IPP65R190E6XKSA1的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；系列：CoolMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：650V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：管件
系列：CoolMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：650V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20.2A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：190 毫欧 @ 7.3A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 730µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：73nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1620pF @ 100V
功率-最大值：151W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3

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