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IPS65R1K0CEAKMA1

IPS65R1K0CEAKMA1

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是英飞凌科技公司的IPS65R1K0CEAKMA1的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：CoolMOS™ CE；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：650V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：CoolMOS™ CE
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：650V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.3A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1 欧姆 @ 1.5A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 200µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：15.3nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：328pF @ 100V
  • 功率-最大值：37W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak
  • 供应商器件封装：TO-251
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