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综述介绍

FQI8N60CTU

FQI8N60CTU

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是飞兆半导体公司的FQI8N60CTU的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；系列：QFET®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：管件
系列：QFET®
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.5A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：36nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1255pF @ 25V
功率-最大值：3.13W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK

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