IPU60R1K5CEBKMA1
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是英飞凌科技公司的IPU60R1K5CEBKMA1的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:CoolMOS™ CE;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):600V;
- 厂商:英飞凌科技公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 单/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:CoolMOS™ CE
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):600V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.1A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):1.5 欧姆 @ 1.1A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.5V @ 90µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):9.4nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):200pF @ 100V
- 功率-最大值:28W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商器件封装:TO-251