IML3160AK-TR

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是艾科嘉公司的IML3160AK-TR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；漏源极电压（Vdss）：600V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.5A（Tc）；不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：8 欧姆 @ 750mA， 10V；

厂商：艾科嘉公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：-
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.5A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：8 欧姆 @ 750mA， 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：7.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：170pF @ 25V
功率-最大值：20W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223

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