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综述介绍

2N7002-G

2N7002-G

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是典琦科技股份有限公司的2N7002-G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：250mA（Ta）；

厂商：典琦科技股份有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：250mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3 欧姆 @ 250mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：25pF @ 25V
功率-最大值：350mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23

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