SSM3J112TU(TE85L)

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是东芝半导体的SSM3J112TU(TE85L)的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.1A（Ta）；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.1A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：390 毫欧 @ 500mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：86pF @ 15V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-SMD，扁平引线
供应商器件封装：UFM

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