AON6484

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是万国半导体元件有限公司的AON6484的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：100V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.3A（Ta），12A（Tc）；

厂商：万国半导体元件有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.3A（Ta），12A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：79 毫欧 @ 7.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.7V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：24nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：942pF @ 50V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线
供应商器件封装：8-DFN（5x6）

PDF 下载