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综述介绍

GP1M006A065F

GP1M006A065F

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是全球电力科技集团的GP1M006A065F的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：650V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.5A（Tc）；

厂商：全球电力科技集团
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：650V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.5A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1.6 欧姆 @ 2.75A， 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：17nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1177pF @ 25V
功率-最大值：39W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220F

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