AOB1100L

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是万国半导体元件有限公司的AOB1100L的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8A（Ta），130A（Tc）；

厂商：万国半导体元件有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8A（Ta），130A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：11.7 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.8V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：100nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4833pF @ 25V
功率-最大值：2.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263（D2Pak）

PDF 下载