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C3M0065090J-TR

C3M0065090J-TR

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是科锐公司的C3M0065090J-TR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：C3M™；FET类型：SiCFET N 通道，碳化硅；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：900V；


  • 厂商：科锐公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：C3M™
  • FET类型：SiCFET N 通道，碳化硅
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：900V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：35A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：78 毫欧 @ 20A，15V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 5mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：30nC @ 15V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：660pF @ 600V
  • 功率-最大值：113W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
  • 供应商器件封装：D2PAK（7-Lead）
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