HTNFET-TC

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是霍尼韦尔微电子与精密传感器的HTNFET-TC的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：系列：HTMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：55V；不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：400 毫欧 @ 100mA，5V；

厂商：霍尼韦尔微电子与精密传感器
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：-
系列：HTMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：55V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：400 毫欧 @ 100mA，5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：4.3nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：290pF @ 28V
功率-最大值：50W
安装类型：通孔
封装/外壳：-
供应商器件封装：-

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