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综述介绍

DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是Diodes公司的DMN33D8LT-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：*可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：115mA（Ta）；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：*可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：115mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5 欧姆 @ 10mA，4V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：0.55nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：48pF @ 5V
功率-最大值：240mW
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*

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