DMS2085LSD-13

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是Diodes公司的DMS2085LSD-13的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：二极管（隔离式）；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.3A（Ta）；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.3A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：85 毫欧 @ 3.05A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：7.8nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：353pF @ 15V
功率-最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

PDF 下载