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综述介绍

FCH070N60E

FCH070N60E

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是飞兆半导体公司的FCH070N60E的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：*；系列：SuperFET® II；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：600V；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：*
系列：SuperFET® II
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：52A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：70 毫欧 @ 26A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：166nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4925pF @ 380V
功率-最大值：481W
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*

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