GA20JT12-263

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是暂无的GA20JT12-263的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：FET类型：碳化硅，常闭；FET功能：超级结；漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：45A（Tc）；不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：60 毫欧 @ 20A；

厂商：暂无
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：-
系列：-
FET类型：碳化硅，常闭
FET功能：超级结
漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：45A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：60 毫欧 @ 20A
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：3091pF @ 800V
功率-最大值：282W
安装类型：-
封装/外壳：-
供应商器件封装：-

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