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综述介绍

2N7635-GA

2N7635-GA

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是暂无的2N7635-GA的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：碳化硅，常闭；FET功能：超级结；漏源极电压（Vdss）：650V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A（Tc）（165°C）；

厂商：暂无
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
FET类型：碳化硅，常闭
FET功能：超级结
漏源极电压（Vdss）：650V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A（Tc）（165°C）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：415 毫欧 @ 4A
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：324pF @ 35V
功率-最大值：7W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-257-3
供应商器件封装：TO-257

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