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BSS169 H6327

BSS169 H6327

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是英飞凌科技公司的BSS169 H6327的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：SIPMOS®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：耗尽模式；漏源极电压（Vdss）：100V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：SIPMOS®
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：耗尽模式
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：170mA（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：6 欧姆 @ 170mA，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 50µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：2.8nC @ 7V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：68pF @ 25V
  • 功率-最大值：360mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：PG-SOT23-3
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