中电网
中电网首页

产品索引  > 分立半导体产品 > FET - 单  >  IPD50R650CEATMA1

IPD50R650CEATMA1

IPD50R650CEATMA1

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是英飞凌科技公司的IPD50R650CEATMA1的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：CoolMOS™ CE；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：500V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：CoolMOS™ CE
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：500V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.1A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：650 毫欧 @ 1.8A，13V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 150µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：15nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：342pF @ 100V
  • 功率-最大值：47W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：PG-TO252-3
PDF 下 载
下载

中电网 中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 |   中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网 版权所有      京ICP备19016262号-2      增值电信业务经营许可证粤B2-20050142      京公网安备 11010802037127号

Tel: 010-62985649, 0755-33322333     Fax: 0755-33322099