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综述介绍

IPB80N06S2H5ATMA2

IPB80N06S2H5ATMA2

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是英飞凌科技公司的IPB80N06S2H5ATMA2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：OptiMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：55V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：OptiMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：55V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：80A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5.2 毫欧 @ 80A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 230µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：155nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：4400pF @ 25V
功率-最大值：300W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-3-2

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