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综述介绍

2N6798

2N6798

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是美高森美商用元件集团有限公司的2N6798的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：200V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.5A（Tc）；

厂商：美高森美商用元件集团有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：200V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.5A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：400 毫欧 @ 3.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5.29nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：800mW
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-205AF 金属罐
供应商器件封装：TO-39

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