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HCT7000M

HCT7000M

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是梯梯电子集团奥派科技有限公司的HCT7000M的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200mA（Ta）；


  • 厂商：梯梯电子集团奥派科技有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：散装
  • 系列：-
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：60V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200mA（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：60pF @ 25V
  • 功率-最大值：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：3-SMD，无引线
  • 供应商器件封装：3-SMD
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