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2N6800U

2N6800U

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是美高森美商用元件集团有限公司的2N6800U的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：400V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A（Tc）；


  • 厂商：美高森美商用元件集团有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：散装
  • 系列：-
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：400V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：1 欧姆 @ 2A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5.75nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
  • 功率-最大值：800mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：18-BQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：18-ULCC（9.14x7.49）
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