2N7639-GA
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是暂无的2N7639-GA的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:散装;FET类型:碳化硅,常闭;FET功能:超级结;漏源极电压(Vdss):650V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):15A(Tc)(155°C);
- 厂商:暂无
- 类别:
分立半导体产品/FET - 单/
- 主要规格参数:
-
- 包装:散装
- 系列:-
- FET类型:碳化硅,常闭
- FET功能:超级结
- 漏源极电压(Vdss):650V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):15A(Tc)(155°C)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):105 毫欧 @ 15A
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1534pF @ 35V
- 功率-最大值:22W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-257-3
- 供应商器件封装:TO-257