IXTA180N085T
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是IXYS的IXTA180N085T的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:TrenchMV™;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):85V;
- 厂商:IXYS
- 类别:
分立半导体产品/FET - 单/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:TrenchMV™
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):85V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):180A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):5.5 毫欧 @ 25A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):170nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):7500pF @ 25V
- 功率-最大值:430W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263(IXTA)