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综述介绍

TK70D06J1(Q)

TK70D06J1(Q)

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是东芝半导体的TK70D06J1(Q)的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：70A（Ta）；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：70A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：6.4 毫欧 @ 35A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：87nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：5450pF @ 10V
功率-最大值：140W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220（W）

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