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综述介绍

2SK669-AC

2SK669-AC

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是三洋半导体（美国）有限公司的2SK669-AC的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：50V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100mA（Ta）；

厂商：三洋半导体（美国）有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：50V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：20 欧姆 @ 10mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：15pF @ 10V
功率-最大值：200mW
安装类型：通孔
封装/外壳：3-SIP
供应商器件封装：3-SPA

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