2SK4181-TL-E

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是三洋半导体（美国）有限公司的2SK4181-TL-E的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：525V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.5A（Ta）；

厂商：三洋半导体（美国）有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：525V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.5A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：920 毫欧 @ 3.7A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：24nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：600pF @ 30V
功率-最大值：70W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-SMD，扁平引线
供应商器件封装：ZP

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