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SIHF18N50C-E3

SIHF18N50C-E3

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是威世硅尼克斯的SIHF18N50C-E3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：500V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：18A（Tc）；


  • 厂商：威世硅尼克斯
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：散装
  • 系列：-
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：500V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：18A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：270 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：76nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：2942pF @ 25V
  • 功率-最大值：38W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：TO-220-3
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