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综述介绍

SI1056X-T1-GE3

SI1056X-T1-GE3

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是威世硅尼克斯的SI1056X-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：TrenchFET®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：TrenchFET®
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：89 毫欧 @ 1.32A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：8.7nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：400pF @ 10V
功率-最大值：236mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SC-89-6

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