SI1307EDL-T1-GE3

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是威世硅尼克斯的SI1307EDL-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：12V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：850mA（Ta）；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：850mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：290 毫欧 @ 1A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：450mV @ 250µA（最小）
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：290mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SC-70-3

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