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SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是威世硅尼克斯的SI4446DY-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：TrenchFET®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：40V；


  • 厂商：威世硅尼克斯
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：TrenchFET®
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：40V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.9A（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：40 毫欧 @ 5.2A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.6V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：12nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：700pF @ 20V
  • 功率-最大值：1.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SO
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