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SI8416DB-T1-GE3

SI8416DB-T1-GE3

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是威世硅尼克斯的SI8416DB-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：TrenchFET®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动；漏源极电压（Vdss）：8V；


  • 厂商：威世硅尼克斯
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：TrenchFET®
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
  • 漏源极电压（Vdss）：8V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：16A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：23 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：800mV @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：26nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1470pF @ 4V
  • 功率-最大值：13W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-UFBGA
  • 供应商器件封装：6-microfoot
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