SIA850DJ-T1-GE3

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是威世硅尼克斯的SIA850DJ-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；系列：LITTLE FOOT®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：二极管（隔离式）；漏源极电压（Vdss）：190V；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：LITTLE FOOT®
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压（Vdss）：190V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：950mA（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3.8 欧姆 @ 360mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：4.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：90pF @ 100V
功率-最大值：7W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装：PowerPAK® SC-70-6 双

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