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综述介绍

SUD50P04-13L-E3

SUD50P04-13L-E3

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是威世硅尼克斯的SUD50P04-13L-E3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：TrenchFET®；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：40V；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：TrenchFET®
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：60A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：13 毫欧 @ 30A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：95nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：3120pF @ 25V
功率-最大值：3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

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