ZXM66P02N8TC

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是Diodes公司的ZXM66P02N8TC的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.4A（Ta）；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.4A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：25 毫欧 @ 3.2A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：700mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：43.3nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2068pF @ 15V
功率-最大值：1.56W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

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