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综述介绍

IRLW510ATM

IRLW510ATM

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是飞兆半导体公司的IRLW510ATM的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：100V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.6A（Tc）；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 单/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.6A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：440 毫欧 @ 2.8A，5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：8nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：235pF @ 25V
功率-最大值：3.8W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK

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