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FDZ201N

FDZ201N

发布时间：2015-08-22
简介：

本文是飞兆半导体公司的FDZ201N的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：PowerTrench®；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 单/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：PowerTrench®
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：20V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9A（Ta）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：18 毫欧 @ 9A，4.5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：15nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1127pF @ 10V
  • 功率-最大值：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：12-WFBGA
  • 供应商器件封装：12-BGA（2x2.5）
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