ZVN4210ASTOA
发布时间:2015-08-22
简介:
本文是Diodes公司的ZVN4210ASTOA的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):100V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):450mA(Ta);
- 厂商:Diodes公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 单/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):100V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):450mA(Ta)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.4V @ 1mA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):100pF @ 25V
- 功率-最大值:700mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:E-Line-3
- 供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)